1、氮氣(qi)-N2，純度要求>99．999%，用(yong)作規范氣(qi)體、在(zai)線外表(biao)規范氣(qi)、校正氣(qi)、零(ling)點氣(qi)、平衡氣(qi)；用(yong)于半(ban)導體器材(cai)制備工(gong)藝中外延、分散(san)、化學(xue)(xue)氣(qi)相淀積(ji)、離(li)子注入、等(deng)離(li)子干刻、光刻，退火搭接、燒結(jie)等(deng)工(gong)序；電器、食物包(bao)裝(zhuang)，化學(xue)(xue)等(deng)工(gong)業也要用(yong)氮氣(qi)。
2、氧氣-O2,>99．995％，用(yong)(yong)作規(gui)范氣體、在(zai)線外表規(gui)范氣體、校正氣、零點氣；還可用(yong)(yong)于(yu)醫療氣，在(zai)半導體器材制(zhi)備(bei)工藝(yi)中用(yong)(yong)于(yu)熱氧化(hua)，分散、化(hua)學氣相淀積(ji)、等離子干(gan)刻(ke)等工序，以及用(yong)(yong)于(yu)光導纖(xian)維的制(zhi)備(bei)。
3、氬氣(qi)(qi)-Ar，>99．999％，用(yong)作(zuo)規(gui)范氣(qi)(qi)體、零點(dian)氣(qi)(qi)、平衡氣(qi)(qi)；甩于半(ban)導(dao)體器材制備工(gong)(gong)藝(yi)中晶(jing)體生(sheng)長、熱氧化(hua)、外延，分散(san)、氮化(hua)，噴發，等(deng)離子干刻、載(zai)流、退火搭接，燒(shao)結等(deng)工(gong)(gong)序(xu)；特種混合氣(qi)(qi)與工(gong)(gong)業混合氣(qi)(qi)也(ye)使用(yong)氬。
4、氫氣(qi)(qi)(qi)-H2,>99.999%，用(yong)(yong)作規范氣(qi)(qi)(qi)體、零點(dian)氣(qi)(qi)(qi)、平衡(heng)氣(qi)(qi)(qi)、校正氣(qi)(qi)(qi)、在線外表規范氣(qi)(qi)(qi);在半導體器(qi)材(cai)制備工藝(yi)中(zhong)用(yong)(yong)于晶體生長，熱(re)氧(yang)化(hua)，外延、分散、多晶硅、鎢化(hua)、離子注入、載(zai)流、燒(shao)結等(deng)工序；在化(hua)學，冶(ye)金等(deng)工業中(zhong)也(ye)有用(yong)(yong)。
5、氦(hai)氣(qi)(qi)(qi)(qi)-He，>99.999%，用作規范氣(qi)(qi)(qi)(qi)體、零點(dian)氣(qi)(qi)(qi)(qi)平衡氣(qi)(qi)(qi)(qi)，校正氣(qi)(qi)(qi)(qi)、醫療氣(qi)(qi)(qi)(qi)、用于半(ban)導體器材錯備(bei)工(gong)藝(yi)中(zhong)晶體生(sheng)長(chang)，等(deng)離子干(gan)刻(ke)載流等(deng)工(gong)序；別的，特種混合(he)氣(qi)(qi)(qi)(qi)與工(gong)業混臺氣(qi)(qi)(qi)(qi)也常用．
6、氯氣-Cl2，>99.86％，用作規范氣體，校正(zheng)氣,用于半(ban)導(dao)體器材制備工藝中晶體生長、等離子干(gan)刻、熱氧化等工序；別的，用于水(shui)凈化，紙漿與紡織品(pin)(pin)的漂白、工業廢品(pin)(pin)、污水(shui)、游泳池的衛生處(chu)理，制備許多化學產品(pin)(pin)。
7、氟(fu)氣-F2，>98%用于半導體器材(cai)制備工藝中(zhong)等離子干(gan)刻；別的，用于制備六氟(fu)化鈾、六氟(fu)化硫、三氟(fu)化硼(peng)和金屬氟(fu)化物等。
8、氨氣(qi)-NH3，>99.995％，用作規范氣(qi)體、校(xiao)正氣(qi)、在線外表(biao)規范氣(qi)；用于半導體器(qi)材(cai)制備工藝中氮化工序，別的(de)，用于制冷、化肥(fei)，石(shi)油、采礦、橡膠等工業。
9、氯化氫-HCI，>99.995%，用(yong)作規范氣體(ti),用(yong)于半(ban)導休(xiu)器材制(zhi)備(bei)工藝中(zhong)(zhong)外延、熱氧(yang)(yang)化、分(fen)散等工序；別的，用(yong)于橡膠氯氫化反應中(zhong)(zhong)的化學(xue)中(zhong)(zhong)間(jian)體(ti)、出(chu)產(chan)乙(yi)烯基(ji)和烷基(ji)氯化物時起氧(yang)(yang)氯化作用(yong)。
10、一氧化(hua)氮-N0，>99％，用(yong)作(zuo)規(gui)范氣(qi)(qi)體，校正氣(qi)(qi)；用(yong)于半導(dao)體器(qi)材制備工藝中化(hua)學氣(qi)(qi)相淀積工序，制備監控大氣(qi)(qi)污染(ran)的(de)規(gui)范混合氣(qi)(qi)。
11、二氧(yang)化(hua)碳(tan)-CO2，>99.99%，用作規范氣(qi)(qi)(qi)體(ti)、在線外表(biao)規范氣(qi)(qi)(qi)體(ti)，校正氣(qi)(qi)(qi);用于半(ban)導體(ti)器材(cai)制備工藝中氧(yang)化(hua)，載流工序(xu)，別的，還用于特種混合氣(qi)(qi)(qi)、發電，氣(qi)(qi)(qi)體(ti)置換(huan)處理、殺(sha)菌(jun)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)稀釋劑(ji)、滅火劑(ji)、食(shi)物冷凍、金屬冷處理，飲料充氣(qi)(qi)(qi)，煙霧噴發劑(ji)，食(shi)物儲(chu)存維(wei)護(hu)氣(qi)(qi)(qi)等(deng)。
12、氧化亞氮-N2O，(即笑氣(qi))，>99.999%用(yong)作規范氣(qi)體、醫療(liao)氣(qi);用(yong)于半導(dao)體器材制備工藝中化學(xue)氣(qi)相淀積(ji)、醫用(yong)麻醉劑(ji)、煙霧噴發劑(ji)、真空和帶壓檢漏，紅外光(guang)譜剖析儀等也(ye)用(yong)。
13、硫化氫(qing)-H2S，>99.999％，用作(zuo)(zuo)規(gui)范氣(qi)體(ti)，校(xiao)正氣(qi)，用于半導體(ti)器材制(zhi)備(bei)工藝中(zhong)等離子干刻，化學工業中(zhong)用于制(zhi)備(bei)硫化物，如硫化鈉，硫化有機物；用作(zuo)(zuo)溶(rong)劑；實驗定量剖析用。
14、四(si)氯(lv)化碳-CCl4,>99.99％，用作規(gui)范氣體,用于半導(dao)體器材制備(bei)工藝(yi)中外延，化學氣相淀積等工序；別的用作溶劑(ji)(ji)，有機物的氯(lv)化劑(ji)(ji)，香料的浸出(chu)劑(ji)(ji)，纖(xian)維的脫脂劑(ji)(ji)、滅火劑(ji)(ji)、剖(pou)析試劑(ji)(ji)、制備(bei)氯(lv)仿和藥物等。
15、氰化(hua)氫-HCN，>99.9%，用(yong)(yong)于(yu)(yu)半導(dao)體器材制(zhi)備工藝中等離子(zi)干(gan)刻工序；制(zhi)備氫氰酸溶液；金屬(shu)氰化(hua)物(wu)、氰氯化(hua)物(wu)；也用(yong)(yong)于(yu)(yu)制(zhi)備丙烯腈(jing)和丙烯衍生物(wu)的組成中間(jian)體。
16、碳酰(xian)氟-COF2，>99.99%，用(yong)于(yu)半(ban)導體器材制備工藝(yi)中等離子干(gan)刻工序；別的；用(yong)作氟化劑。
17．碳酰(xian)硫(liu)-COS，>99.99%，用作(zuo)校正氣;用于(yu)半導體(ti)器材制備(bei)工(gong)藝中離子注入工(gong)序;也(ye)用于(yu)有(you)些羧基、硫(liu)代酸、硫(liu)代碳酸鹽和(he)噻唑的組成。
18．碘(dian)化氫-HI，>99.95%，用于半(ban)導體器材制(zhi)備工藝(yi)中離子注入工序;還用于氫碘(dian)酸溶液制(zhi)備。
19．溴化(hua)氫-HBr，>99.9％，用于半導體制備(bei)工(gong)藝(yi)中等(deng)離子干刻(ke)工(gong)序；用作(zuo)還(huan)原劑，制備(bei)有(you)機及無機溴化(hua)合(he)物(wu)。
2O，硅(gui)烷(wan)-SiH4，>99.999％，電阻(zu)率>100Ω/cm2，用于半(ban)導體器(qi)材制(zhi)備(bei)工藝中外延、化學氣(qi)相(xiang)淀積等工序(xu)。
21．乙硅(gui)烷(wan)-Si2H6，>99.9%，用于半導體制備工藝(yi)中化(hua)學氣相淀積
22．磷烷-PH3,>99.999%，用于半導體器材制備工(gong)藝中外延、分散、化學氣
相淀(dian)積(ji)、離子注入等(deng)工序(xu)：磷(lin)烷與二(er)氧(yang)化碳混合(he)的低濃度氣體，可用于殺死(si)糧(liang)倉的蟲卵和制(zhi)備阻火化合(he)物。
23．砷烷-AsH3，>99.999%，用于(yu)半導體器材制備工藝中(zhong)外延、擴敷、化(hua)學氣(qi)相淀積、離子注入等(deng)工序。
24．硼烷(wan)(wan)-B2H6，>99.995%，用(yong)于(yu)半(ban)導體器材制(zhi)備(bei)工藝(yi)中外延(yan)、分散、氧化等工序；用(yong)于(yu)有些化學工業組成過(guo)程：如氫硼化反應(即生成醇類(lei))，有機(ji)功用(yong)的(de)闌珊，制(zhi)備(bei)較高的(de)硼烷(wan)(wan)衍生物(wu)和碳甲硼烷(wan)(wan)化合物(wu)。
25．鍺烷-GeH4，>99.999%，用(yong)于半(ban)導(dao)體器材制備工(gong)藝中外延、離子注入工(gong)序(xu)。
26．銻烷(wan)-SbH3，>99.999％，用于半導(dao)體器材制(zhi)備(bei)工(gong)藝中(zhong)外延(yan)、離子(zi)注入(ru)工(gong)序。
27．四氧(yang)甲硅烷(wan)-si(OC2H5)4，>99.99‰用于半導體器材制(zhi)備工(gong)藝中化學(xue)氣相淀積(ji)工(gong)序。
28．乙(yi)烷-C2H6，>99.99％，用作規范氣、校正氣、在線外表(biao)規范氣;用于(yu)半導體器材制備工藝(yi)中(zhong)(zhong)等離子干刻工序;還用于(yu)冶金工業的(de)熱(re)處理，化學(xue)工業中(zhong)(zhong)制備乙(yi)醇(chun)、氧化乙(yi)二醇(chun)、氯乙(yi)烯、高醇(chun)類、乙(yi)醛(quan)等。
29．丙烷-C3H8，>99.99%，用(yong)作規(gui)范(fan)氣(qi)、校(xiao)正氣(qi)、在線外表規(gui)范(fan)氣(qi);用(yong)于半導(dao)體器材制備工藝(yi)中等離子干刻工序(xu);別的(de)(de)，用(yong)于燃料、冷凍劑、制備乙烯(xi)與丙烯(xi)的(de)(de)質料。
30．硒(xi)化氫(qing)-H2Se，>99.999%，用于半導體器材制備(bei)工(gong)藝中(zhong)分散、離子注入工(gong)序．
31．碲化(hua)氧-H2Te，>99.999％，用于半導體器材制備工(gong)藝中分散(san)、離子(zi)注入工(gong)序.
32．二氯二氫(qing)硅-siH2cl2，>99.999％，用于半導(dao)體器材制(zhi)備工藝中(zhong)外延、化學氣相淀(dian)積工序(xu)。
33．三氯氫(qing)硅-siHCl3，>99.999%，用于半導體(ti)器材(cai)制備工(gong)藝中外(wai)延、化學氣相淀積工(gong)序。
34．二甲基碲-(CH3)2Te，>99.999%，用于半導體器材制(zhi)備(bei)工(gong)藝中(zhong)分散(san)．離子(zi)注入工(gong)序。
35．二乙基(ji)碲(di)-(C2H5)2Te，>99.999%，用處同(34)。
36．二甲基鋅-(CH6)2Zn，>99.999%，用于(yu)半(ban)導體(ti)器材(cai)制備工藝中化學氣相淀積工序(xu)。
37．二(er)乙基鋅->99.999%，用(yong)處同(36)。
38．三氯(lv)化磷(lin)(lin)-Pcl3，>99.99%，用于半(ban)導(dao)體(ti)器材(cai)制備工(gong)藝中分散，鍺(zang)的外延生長和離子注入工(gong)藝-PCI是有(you)機物的杰(jie)出氯(lv)化劑，也用于含磷(lin)(lin)有(you)機物的組成。
39．三氯化砷-AsCl3，>99.99％，用于半導體器材制備工(gong)藝中的(de)外(wai)延(yan)和離子注(zhu)入(ru)。
40．三氯(lv)化(hua)硼-Bcl3，>99.99％，用于等離子干刻、分散;作硼載氣及(ji)一些有機反應的催化(hua)劑|精粹鎂(mei)、鋅(xin)、鋁、銅合金(jin)(jin)時從溶化(hua)金(jin)(jin)屬中除去氮、碳(tan)，氧(yang)化(hua)合物。
41、四氯化硅-SiCl4，>99.999%，用于(yu)半導體器材制(zhi)備工(gong)藝中外延、化學氣相淀(dian)積(ji)工(gong)序。
42、四(si)氯化錫-SnCl4，>99.9%，用于外延(yan)，離子注入。
43、四氯化鍺-Gecl4，>99.999％，用于離(li)子注入。
44、四(si)氯(lv)化鈦-TiCl4，>99.99％，用于等(deng)離(li)子干刻。
45、五(wu)氯化磷(lin)-PCl5，>99.99％，用于外延、離(li)子注入。
46、五(wu)氯化銻-SbCl6，>99.99％，用(yong)于外延、離(li)子(zi)注入。
47、六氯化鉬-MoCl6，>99.9%，用于化學氣相(xiang)淀積。
48、三溴化硼-BBr3，>99.99%，用于半導體器材制備工藝中離子注入(ru)工序和(he)制(zhi)備(bei)光(guang)導纖維。
49、三溴化磷(lin)-PBr3，>99.99％，用于外延(yan)、離子(zi)注入。
50、磷(lin)酰氯-POCl3，>99.999％，用于分散(san)工序。
; 51、三(san)氟化(hua)(hua)硼-BF3，>99.99％，用于(yu)離子(zi)注入(ru)，別的(de)，可作載氣、某些有機反(fan)應的(de)催化(hua)(hua)劑，精粹(cui)鎂，鋅(xin)、鋁、銅(tong)合金(jin)時從熔化(hua)(hua)金(jin)屬中除去氮，氧、碳化(hua)(hua)物。
52、三氟化磷-PF3，>99%，用于外(wai)延、離子注入工序；別的用作氟化劑。
53、三氟化(hua)砷-AsF3，>99.9%，用(yong)處同(12）
54、二氟化氙-xeF2，>99.9%，用(yong)于外延(yan)、離子注入(ru)工序，用(yong)于固定模具氙的(de)考察及原子反應(ying)堆排放廢氣中氙的(de)測定。
55、三(san)氟氯甲(jia)烷-(R一13)，99.995%，用于等(deng)離子(zi)干刻工序；冷(leng)凍劑、空調均可用。
56、三氟甲烷-CHF3，(R一23)，>99.999％，用于等(deng)離子干(gan)刻工(gong)序；低溫冷(leng)凍劑。
57、三氟化氮(dan)-NF3，>99.99％，用(yong)于(yu)等離子(zi)干(gan)刻工序|火(huo)箭推進劑、氟化劑。
58、三氟(fu)溴(xiu)甲烷-CBrF3，(R13B1)，>99.99%，用于(yu)等(deng)離子干刻工序;還用于(yu)空調、低溫冷凍(dong)及滅火(huo)劑。
59、三(san)氟化硼(peng)，>99.99%，用于離子注入工序；還用于制(zhi)備(bei)光導纖維(wei)。
; 60、四氟(fu)化碳-CF4，(R一14)，>99.99%，用(yong)于等(deng)離子干刻(ke)工序(xu)；在很低(di)溫度下作為(wei)低(di)溫流(liu)體用(yong)，也用(yong)于中性(xing)及惰性(xing)氣體。
